감자, 고구마, 당근, 강남콩(팥, 완두콩 아무거나 있는콩) 감자,고구마, 당근은 손톱크기로 깍뚝썰기로 준비 이들 재료 먼저 삶거나, 압력솥에서 익혀준다.
토마토 3-4kg 칼집내서 끓는 물에 살짝 튀겨서 껍질을 벗기고 대충 잘게 썰어서 큰 냅비에 넣고 끓인다. 토마토는 끓면서 저절로 물이 생긴다. 추가로 물 한컵정도 부어줘도 무방 토마토가 충분히 끓어서 죽같이 되었다면 위에 준비한 재료는 넣고 한번 끓여서 바로 불을 끈다.
간 맞추기 토마토 끓일때 소금 약간 최종간은 고추장 2~3 스픈 넣으면 한국사람 입맛에 맞는다
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 문9) 게이트(Gate)에 신호를 가해야만 동작하는 소자는? ★★★★★ ①SCR -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 문10) 다음중 SCR의 기호는 ? ★★★★★
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 문11) 역저지 3단자에 속하는 것은?★★★★★ ① SCR
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 문12)SCR의 특성중 적합하지않은 것은?★★★★★ ① pnpn 구조로 되어 있다. ② 정류 작용을 할 수 있다. ③ 정방향 및 역방향의 제어 특성이 있다. ④ 고속도의 스위칭 작용을 할 수 있다.
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 문13) 통전 중인 사리스터를 턴 오프(turn off)하려면?★★★★★ ① 순방향 Anode 전류를 유지전류 이하로 한다. ②순방향 Anode 전류를 증가 시킨다. ③ 게이트 전압을 "0" 또는 (-)로 한다. ④ 역방향 Anode 전류를 통전한다.
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 문14)SCR에서 Gate 단자의 반도체는 어떤 형태인가?★★★★★ 위 그림 참조 ② P형
2) VBO = 브레이크 오버 전압 3) 브레이크 오버에 이르기까지 상태 : 순방향 저지 4) 통전시 사리스터 전압강하 1∼2 [V] 5) 통전상태 유지 -게이트 전류와 무관 -A-K사이 전류 수십[mA]이상 순방향이면 유지 6) 턴 오프(Turn-Off) : 소호 -A-K사이 전류 수십[mA]이하로 떨어지면 off -A-K사이 순간적인 역전압 인가
7) 특징 ① 역저지 3단자 사리스터(단방향 소자) ② 아크가 생기지 않으므로 열의 발생이 적음 ③ 과전압에 약함 ④ 전류가 흐르고 있을 때 양극의 전압강하가 작음 ⑤ 게이트 신호를 인가할 때부터 도통할 때까지의 시간이 짧음 ⑥ 역률각 이하에서는 제어가 불가능 ⑦ 소형이며, 경량이다 ⑧ 고속동작, 제어가 용이,
8) SCR turn on 조건 ①양극과 음극 간에 브레이크 오버 전압 이상의 전압인가(정상이상의 전압) ②게이트에 래칭전류 이상의 전류인가(펄스전류)
9) SCR turn off 조건 ①애노우드의 극성을 부(-)로 한다. ②SCR에 흐르는 전류를 유지 전류 이하로 한다.
10) SCR 관련 용어 ① turn on 신간 : 게이트 전류를 가하여 도통 완료까지의 시간 ② 래칭전류 : SCR을 turn on 시키기 위하여 게이트에 흘려야 할 최소 전류 ③ 유지전류 : SCR이 on 상태를 유지하기 위한 최소전류
10) 용도 -개폐장치 (작은 전압으로 큰 전압 제어) -전력변환 소자
4. 기타소자
(1) GTO (Gate turn thyrister)
게이트에 흐르는 전류를 점호할 때의 전류와 반대 방향으로 흐르게 하여 임의로
GTO를 소호시킬 수 있는 소자
① 역저지 3단자 소자
② 초퍼, 직류 스위치 등에 사용
③ 자기 소호(게이트로 ON-OFF할 수 있다)기능 소자
문15) 다음중 자기소호 기능이 있는 것은?★★★★★ ① SCR ② GTO ③ TRIAC ④ LASCR
(2) TRIAC (Tri-electrode AC switch)
양방향 3단자 사이리스터
(가)직류, 교류 위상제어할 수 있는 소자이며주로교류의 위상 제어 소자로 사용한다. (나)SCR 두개가서로 다른 방향으로 병렬로 접속된 구조이다. (다)양방향 3단자소자이다.
3) 작용 이미터전자->순방향전압에 의해-> 베이스 로 확산 ->베이스에는 정공이 적어->베 이스로 확산된 전자가 ->컬렉터 접합에 도 착->컬렉터에 걸린 강한 역 전압에 의해 전 자는 컬렉터 쪽으로 급격히 이동-> 큰 전류 흐름
4) 베이스 전류 : 베이스 영역에 유입된 전자에 의해 정공과 재결합이 부분적으로 일어나므 로 약간의 전류흐름
[3] 회로소자에서의 트랜지스터 동작
-베이스 IB 전류(수도밸브) -->Ic 전류제어 (물)
-작용 : 증폭, 발진, 변조, 검파
[4]트랜지스터의 증폭작용
α: 베이스 공통 전류증폭율 ( 0.99 )
β: 이미터 공통 전류증폭율 ( 100 ) 500∼1000 ICBO: 컬렉터 접합의 누설전류 IE: 이미터 전류 IC =αIE+ICBO IE = IE+IC
위 두식에서▶ IC=β·IB -(β+1)ICBO
※ α를 "0.99"로하면 β는100이 되고 α가 "1"에 가까울 수록β는 커지며 β가 500∼1000에 달하는 트랜지스터도 있다.
[5]트랜지스터의 전기회로적 특성 -트랜지스터의 표준동작(직류동작) ① 컬렉터 전압 3∼100 [V]=>역방향 전압인가 ② 이미터 전압 1∼2 [V]=>순방향 전압인가 IC =αIE==>α = 0.99-- IC=β·IB==>β=50∼500 -교류동작 ic, ie, ib ==>직류동작과 같이 α,β 관계가 이루어 진다.
● 아래 표에서 각 회로별로 전류증폭율 및 임피던스, 용도를 잘 알아두자
◎트랜지스터의 형명 표시법
①의 숫자 : 반도체의 접합면수 (0 : 광트랜지스터, 광다이오드, 1 : 각종 다이오드, 정류기, 2 : 트랜지스터, 전기장 효과 트랜지스터, 사이리스터, 단접합 트랜지스터, 3 : 전기장 효과 트랜지스터로 게이트가 2개 나온 것). S는 반도체(Semiconductor)의 머리 문자.
②의 문자 : A,B,C,D 등 9개의 문자 (A : pnp형의 고주파용, B : pnp형의 저주파형, C : npn형의 고주파형, D : npn형의 저주파용, F : pnpn사이리스터, G : npnp 사이리스터, H : 단접합 트랜지스터, J : p채널 전기장 효과 트랜지스터, K : n채널 전기장 효과 트랜지스터)
③의 숫자 : 등록 순서에 따른 번호. 11부터 시작.
④의 문자 : 보통은 붙지 않으나, 특히 개량품이 생길 경우에 A, B, …, J까지의 알파벳 문자를 붙여 개량 부품임을 나타냄. 예) 2SC316A → npn형의 개량형 고주파용 트랜지스터◎트랜지스터의 형명 표시법
▶ 일반적인 금속과는 달리, 온도가 높아지면 저항값이 감소하는 부저항온도계수(負抵抗溫度係數)의 특성을 가지고 있는데 이것을 NTC(negative temperature coefficient thermistor)라 한다. 구조적으로 직열형(直熱形) ·방열형(傍熱形) ·지연형(遲延形)으로 분류되는데, 외형은 깨알만한 것에서부터 동전 크기만한 것까지 여러 종류가 있다.
▶ 재료 : 코발트, 니켈, 망간, 철, 구리, 티탄의 합금
▶ 용도 : 체온계 ·온도계 ·습도계 ·기압계 ·풍속계 ·마이크로파전력계 등의 측정용이나 통신장치의 온도에 의한 특성변화의 보상, 통신회선의 자동이득조정 등 이용분야는 넓다.
6) 배리스터
▶ 양 끝에 가해지는 전압에 의해서 저항값이 변하는 비선형(非線形) 반도체 저항소자. 전압이 상승하면 저항값도 증가하여 전류의 흐름을 저지한다.
▶배리어블 레지스터(variable resistor)의 약칭이다. 가해지는 전압의 극성에 관계없이, 전압의 크기만에 의해 저항이 정해지는 대칭형 배리스터와, 가해지는 전압의 극성에 의해서 달라지는 비대칭형 배리스터가 있다.
▶재료 :비대칭형 배리스터는 셀렌 ·게르마늄 ·실리콘 등의 반도체다이오드가 유용되며, 또 대칭형에는 실리콘카바이드나 비대칭형을 2개 조합해서 사용한다.
▶용도 :전기접점(電氣接點)의 불꽃을 소거하거나 반도체 정류기 ·트랜지스터등의 서지전압(surge voltage)으로부터의 보호에 사용한다.
